王伟副教授提出一种新型材料场效应管结构
发布时间: 2017-04-25 浏览次数: 78 文章来源: 电子科学与工程学院

专利号201310141991.0

本发明提出一种新型材料场效应管结构。本发明的目的是针对传统的MOSFET结构GNRFET无法在保持获得较好的高频特性和开关特性的同时克服器件尺寸缩小时的短沟道效应,提出了一种GNRFET的新型器件结构。发明受到异质栅的启发,在一个结构中引入两种材料的栅结构。由于异质栅结构能减小栅边缘的直接隧穿漏电流和栅漏间的寄生电容,同时减小漏端的电场,减小漏电流。

1本发明的器件结构模型示意图。

其中有:栅极电压VG、源极电压VS、漏极电压VD双材料异质栅第一种材料1双材料异质栅第二种材料2、栅极总长度LG,沟道长度LG、源、漏区的长度LSLD,氧化层的厚度为TOX1TOX2栅氧化层3源区4、沟道5、漏区6underlap区域7


3_副本

该场效应管整体为片状结构,源极和漏极为n型重掺杂的石墨烯纳米带;

在石墨烯场效应管的两头分别设有源极、漏极,源区、漏区均采用相同参数的N型重掺杂;石墨烯场效应管中间部分为沟道区,沟道区不掺杂;

从沟道方向看,栅位于石墨烯场效应管沟道区的中间,长度等于沟道区长度。

异质栅为两种功函数不同的导电金属材料构成的,两种材料沿沟道方向依次分布,它们的功函数分布如下:靠近源区一侧的功函数大于靠近漏区一侧功函数。

详细请参考:王伟,王燕,闫帅军. 一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管

, 专利号:ZL201310141991.0, 申请日:2013-04-22, 授权日:2016-08-17