南京大学殷江教授来我院为研究生做学术报告
发布时间: 2014-09-23 浏览次数: 294 文章来源:

        2014年9月22日下午3点,南京大学现代工程与应用科学学院殷江教授在本部科研楼712会议室为我院师生进行了题为《-k氧化物介质在电荷存储器件中的应用研究》的学术报告,本次学术报告会由电子学院院长郭宇锋教授主持,14级研究生和我校多名教师到场听讲。

        殷江教授首先介绍了高k材料的研究背景,指出现在用22nm的高k材料取代氧化硅材料,采用Intel公司的Tri-Gate FET。然后介绍了非易失性半导体存储器件,半导体存储器分为随机存储器和只读存储器。在研究的非易失性存储器主要有电荷俘获型存储器件,包括多晶硅快闪存储器和新一代电荷存储器。新一代电荷存储器的优点是操作电压低,功耗小,但缺点是器件容易失效。新型电荷存储器件包括高k介质)取代。最后殷江教授介绍了高k材料的应用:纳米晶存储器件和多层膜存储器件、氧化物复合介质存储器件,还介绍了团队的创新点,创新的提出了存储性能取决于介面,并指出下一代存储器件的标准等。

        报告会结束后,殷江教授就大家感兴趣的热点、难点问题与学生和老师进行了沟通互动,现场气氛十分活跃

 

 

报告人简介:

        20006月于南京大学物理系获得理学博士学位,20009月起先后担任日本通商产业省产业技术综合研究所纳米技术研究中心、日本学术振兴机构(JSPS)及日本科学技术振兴机构(JST)研究员。20052月任南京大学凝聚态物理学教授及博士生导师,20106月任南京大学现代工程与应用科学学院材料科学与工程系教授及博士生导师。

        主要研究方向包括:铁电薄膜与介电薄膜,固体电解质、氧化物及相变存储材料与存储器件,氧化物纳米晶电荷存储材料与存储器件,低维半导体存储材料与存储器件。

        发表SCI论文100余篇,获得中国发明专利授权10余项。目前承担国家973计划项目课题“无铅压电材料高性能化研究”,自然科学基金面上项目2项。